【新闻】中芯国际40nm ReRAM存储芯片出样
摘要：目前在下一代存储芯片的研发当中，除了3D XPoint芯片外还有ReRAM芯片（非易失性阻变式存储器）。2016年3月，Crossbar公司宣布与中芯国际达成合作，发力中国市场。其中，中芯国际将采用自家的40nm CMOS试产ReRAM芯片。近日，两者合作的结晶终于诞生，中芯国际正式出样40nm工艺的ReRAM芯片。据介绍，这种芯片比NAND芯片性能更强，密度比DRAM内存高40倍，读取速度快100倍，写入速度快1000倍，耐久度高1000倍，单芯片（200mm2左右）即可实现TB级存储，还具备结构简单、易于制造等优点。另外，按计划更先进的28nm工艺ReRAM芯片也将在2017年上半年问世。http://cms-bucket.nosdn.127.net/catchpic/d/dd/ddb0921fa96161300a5a62fe64bc6c32.jpg?imageView&thumbnail=550x0不关心数据，我只想知道市场化的产品性能 关键要能大规模上市
中芯(⊙o⊙)听说也是个圈钱高手。 maithon 发表于 2017-1-16 12:40
中芯(⊙o⊙)听说也是个圈钱高手。
这个一看就是圈钱的项目, 量产肯定是暂时不现实的 这么nb，估计不可能上市了。越nb的东西越不靠谱，这货比联想的复刻版更不靠谱 {:1_244:}
样品出来了，应该眉目差不多吧
还是跟国外合作的
明显国外技术
国内资金和市场
老一套
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