【原创】M2200超频小结(M4800)
本帖最后由 qianxideyu 于 2021-4-14 09:57 编辑前几天非常高兴一个能用的M2200到手了,M4800显卡算是到天花板了。
但是这个频率嘛。。。打个原神特效开到中1080p都要掉帧。。。694真的保守了。(北斗我老婆doge)
很奇怪的是M2200的GPU频率设的比965M低,显存频率却比965M高。很奇怪。。。可能和厂家调校有关。
总之既然是工作站,即使是马甲那也是特挑的die,干就完了,只要机器供电够。第一次刷vBIOS那是紧张的不行,毕竟就一张卡,我一个学生党扛不住啊。
首先嘛就是备份vBIOS,直接 nvflash.exe --save xxx.rom就行了,或者gpuz也有vBIOS导出功能。
然后坑点就来了。
我先是参照知乎某大佬的方法:通过修改 vBios 实现 Quadro M2200 超频 - 知乎 (zhihu.com)
能复原965M的性能就足够了。
这个改完貌似没啥大问题吧。。。看这三个东西貌似并不是那么简单:
功率表,boost表和boost状态。。。emmm猜应该是和睿频逻辑有关(怕不是个自动机哦)。
Boost Table貌似写了vBIOS有多少档频率,这个也得调到和Common一样的Boost Clock。要不然空有上限,调度和原来一样根本达不到超频效果。
除了Boost Table以外,隔壁的Boost State也没有自动改过去,手动调GPC的Max值和Boost Clock匹配。
基于以上经验,就改了以下几个点
Common:
TDP Base Clock: 694.5 -> 935
Boost Clock: 1038 -> 1150
Boost Table:
Max Table Clock:1038 -> 1150
Boost State:
P00 Profile:
GPC: 1038 -> 1150
P05 Profile:
GPC: 1038 -> 1150
注意这里P08的Profile我没改,看应该是节能模式的时候限制功率的。工作站电源不够的时候貌似会限制性能继续工作,以前的M4600配了个130w的电源就慢的要死,各种响应慢。
改了以后坑又来了。nvflash xxx.rom直刷会报错,说SubSystem不匹配。因为rom拿到的是厂家的Sub system代码,我是P51拆下来的信息就是联想P51,但是戴尔这台机器因为识别不到戴尔的信息,就把这个信息改了,改成戴尔M4800的代码了,假装这张卡是戴尔M4800的。这里要加 -6 来跳过这一步,也就是nvflash -6 xxx.rom。
坑点还没完,Cert 2.0验证又通不过,只有下一个跳过验证的nvflash。文件名长这样:NVFlash_Certs_Bypassed_v5.287_x64。TechPowerUp有下载,底部有链接也可以直接下。
这下终于能刷进去了,刷完重启好紧张怕黑屏,好在还是给力直接开机了。
不过测试furmark烤机发现频率始终在500到600之间蹦跶,估计是撞了功率墙了。
查了下功率在PowerTable里面设置,一看好家伙被限制在35w了。M2200不是设计55w么。。。难道说P51散热很拉跨?
没敢放开整,就选了个45w。至于为什么,我用的硅脂是HY510,导热系数1.93。。。
Power Table:
第一块Def(mW) 100%: 35000 -> 45000。
之后开机furmark就比较好了,能稳在900左右,帧率从41提升到51,增加25%,估计放开50w就能稳在935了,之前测试的965m就是50w。
原神占用在80%,能稳在1150,卡顿不见了,就很爽。
不过烤机逼近90的速度快多了,之前烤机能稳在85。打算换个霍尼韦尔的相变硅脂,但是好贵啊,1g居然要20。
这里vBIOS自行斟酌,我建议还是用自己备份的vBIOS做蓝本来改,前面也说了里面有厂家信息。最好还是只调参数,不要破坏其它信息。
工具的话自取吧:
wq233 发表于 2021-4-1 23:58
前几天非常高兴一个能用的M2200到手了,M4800显卡算是到天花板了。
但是这个频率嘛。。。打个原神特效开到 ...
上了霍尼韦尔的相变硅脂,45瓦furmark烤机大概在80-90度之间,50瓦烤机会撞温度墙,最后稳定在42瓦左右,如果拿个东西把屁股垫起来可以稳定45瓦,估计这就是M4800的极限了,再高可以考虑拿热管搭个桥让CPU散热器帮着散热。
个人觉得比较合适的还是45瓦的功率墙比较合适。有扩展坞的可以50瓦 感谢楼主,我也去试试,我一直是当台式机外接屏幕用,笔记本是立在地上,散热应该能好一些 已经按照楼主的方法超频成功了,很好用,3Dmark跑分提升10% 收藏了,最近可能换这个卡,到时候试试 感谢楼主的分享,都是干货,大着胆子,买了,一块2200m,一次成功
页:
[1]