【原创】下面能不能看出这硬盘很慢了？

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驱动程序:  
   设备描述   HTS548040M9AT00  
   驱动程序日期   2001-7-1  
   驱动程序版本   5.1.2535.0  
   驱动程序供应商   Microsoft  
   INF 文件   disk.inf  
   
  磁盘设备物理信息:  
   制造商   Hitachi  
   家族名称   Travelstar 5K80  
   形状特征   2.5"  
   格式化容量   40 GB  
   盘片数   1  
   记录面   2  
   外形尺寸   100 x 70 x 9.5 mm  
   最大重量   95 g  
   平均延迟时间(潜伏期)   5.5 ms  
   盘片转速   5400 RPM  
   最大内部数据传输率   450 兆比特/秒  
   平均寻道时间   12 ms  
   道间寻道时间   2.5 ms  
   全程寻道时间   23 ms  
   接口   Ultra-ATA/100  
   缓存到主机传输率   100 MB/秒  
   缓存大小   8 MB

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电源管理:
      当前电源                                          电池
      电池状态                                          42 % (未知)
      电池寿命                                          未知
      剩余寿命                                          3489 秒 (58 分钟, 9 秒)

    电池属性:
      设备名称                                          主机
      制造商                                            Hewlett-Packard
      唯一代码                                          37412 2006/03/22Hewlett-PackardPrimary
      电池类型                                          可充电 Li-Ion
      设计容量                                          40727 mWh
      最大容量                                          40727 mWh
      当前容量                                          16999 mWh  (42 %)
      电压                                              11059 mV
      可用程度                                          0 %
      电源状态                                          正在放电
      放电方式                                          17539 mW

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[ DIMM3: Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 ]

    内存模块:
      模块名称                                          Samsung M4 70T2953EZ3-CE6
      序列号                                            826C2B90h (2418764930)
      制造日期                                          32 周 / 2008
      模块容量                                          1 GB (2 ranks, 4 banks)
      模块类型                                          SO-DIMM
      存取方式                                          DDR2 SDRAM
      存取速度                                          DDR2-667 (333 MHz)
      模块位宽                                          64 bit
      模块电压                                          SSTL 1.8
      错误检测方式                                      无
      刷新周期                                          简化 (7.8 us), Self-Refresh

    内存计时:
      @ 333 MHz                                         5-5-5-15  (CL-RCD-RP-RAS) / 20-35-3-5-3-3  (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
      @ 266 MHz                                         4-4-4-12  (CL-RCD-RP-RAS) / 16-28-2-4-2-2  (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
      @ 200 MHz                                         3-3-3-9  (CL-RCD-RP-RAS) / 12-21-2-3-2-2  (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)

    内存模块制造商:
      公司名称                                          Samsung
      产品信息                                          http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm

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帮忙一下。谢谢。