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[硬盘/SSD] 【原创】Intel G3的80M写入限制算是打开了

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发表于 2010-11-14 18:33:28| 字数 159| - 中国–广东–深圳 电信 | 显示全部楼层 |阅读模式
受机器限制,最大值估计测不出来了。手里只有X61和X200,没有T系列的机器。

至于IOPS是否达到了50K,估计是没有。

网上泄露的规格。



X61上测的图。



X200上测的图。


补一个X61上的CrystalDiskMark图。


X61上ATTO图。


[ Edited by  longjing2000 on 2010-11-18 11:15 ]

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发表于 2010-11-14 18:41:58| 字数 13| - 英国 | 显示全部楼层
不会吧,有项数据写比读还高
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发表于 2010-11-14 18:51:45| 字数 44| - 中国–上海–上海 电信 | 显示全部楼层
数据做的不错   看上去很漂亮

G3的颗粒  读写寿命次数减少了    总写入量比G2反而提高了3倍   高科技?
不和一帮sx见识 真tm狗屁倒灶 滚粗~~~
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发表于 2010-11-14 18:57:16| 字数 19| - 克罗地亚 | 显示全部楼层

回复 #3 andyrave 的帖子

因为g3加入了缓存,减少了写入次数贝。
abcdefg
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发表于 2010-11-14 19:01:20| 字数 41| - 中国–上海–上海 电信 | 显示全部楼层

回复 #4 dothan228 的帖子

那就是缓存的功劳咯    加了个缓存   FLASH成本减低了   价格贵过G2的价钱    这个缓存不便宜啊   
不和一帮sx见识 真tm狗屁倒灶 滚粗~~~
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发表于 2010-11-14 19:05:31| 字数 25| - 克罗地亚 | 显示全部楼层

回复 #5 andyrave 的帖子

缓存有风险,断电就惨了,尤其是这种大容量写入缓存。
abcdefg
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发表于 2010-11-14 19:26:26| 字数 43| - 中国–四川–成都 电信/西南财经大学 | 显示全部楼层
现在被大家说得似乎是G1 G2 G3一代不如一代
但是科技真的是在倒退么?
还是决定明年上G3
T410/i5-540m/8G/128G(M4)/1440*900/6300AGN+Gobi2000/USB3.0*2
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发表于 2010-11-14 19:28:22| 字数 13| - 克罗地亚 | 显示全部楼层

回复 #7 jxst441070 的帖子

为了利润,什么都能做出来。
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发表于 2010-11-14 22:24:52| 字数 8| - 澳大利亚 澳大利亚国立大学 | 显示全部楼层

回复 #2 kiding 的帖子

没有一项写比读高
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发表于 2010-11-15 04:14:25| 字数 206| - 加拿大 Shaw | 显示全部楼层
QUOTE:
Posted by dothan228 on 2010-11-14 03:57
因为g3加入了缓存,减少了写入次数贝。

……
G1、G2都有缓存,只不过不用做写入缓存而已。就算G3开始做写入缓存了,也只是为了提高写入速度,进缓存的始终都要commit到Flash上。从来没听说Intel有过写入压缩算法,没明白Intel的写缓存怎么用来减少写入?目前只有SF的DuraWrite技术能通过减少重复写入来减少写入次数。
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发表于 2010-11-15 05:16:59| 字数 675| - 克罗地亚 | 显示全部楼层
QUOTE:
Posted by aldenyuan on 2010-11-15 04:14

……
G1、G2都有缓存,只不过不用做写入缓存而已。就算G3开始做写入缓存了,也只是为了提高写入速度,进缓存的始终都要commit到Flash上。从来没听说Intel有过写入压缩算法,没明白Intel的写缓存怎么用来减少 ...

谁知道呢,这个提升是有限的,缓存再大也要写入NAND,当缓存满了,NAND还是来不及写入的时候性能就会大幅度下降。一般跑分是测试主控到缓存的速度,而不是直接到nand的速度,所以性能提升也许只是假象。intel实现写入缓存估计不难,加大原来寻址用的缓存比如用个128M的,划64M当写入缓存,64MB当寻址。其实intel加入写入缓存一种可能就是25nm 主控不变,NAND的延迟提高了,速度下降了。还有一种可能就是主控性能大幅度提升过于强悍,凸显NAND速度的瓶颈,需要加入大容量缓存协调。

SF主控强悍,内置高速L2,不快才怪。同样道理,对于小文件如ATTO,直接测试SF和内部cache交换的速度,肯定把SATA 3G速度挤爆了。但是测试大文件,比如1000M的,速度就大幅度下降了。

LZ的跑分性能差,延迟高,是因为没有装RST驱动,用的还是msahci。连续读写无法突破瓶颈可能是工作在SATA 1.5G模式。

intel SSD新品固件,还是小心点,做好备份。记得G2,G1上市的时候一大堆bug。intel ssd工程版以后无法更新正式版固件,现在入手g3的XD要多做备份呢。

[ Edited by  dothan228 on 2010-11-15 05:39 ]
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发表于 2010-11-15 05:34:13| 字数 14| - 法国 | 显示全部楼层
期待160G/300G的价格
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发表于 2010-11-15 05:56:18| 字数 80| - 加拿大 Shaw | 显示全部楼层

回复 #11 dothan228 的帖子

纯技术探讨,版主莫怪。只是你写了这么大篇,没见对你那句“因为g3加入了缓存,减少了写入次数贝”的解释。
因为我很少关注Intel,所以想从你这里多了解些细节而已。
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发表于 2010-11-15 06:06:48| 字数 37| - 克罗地亚 | 显示全部楼层

回复 #13 aldenyuan 的帖子

可能是以前用于临时文件的nand现在可以用缓存直接代替,减少重复写入次数。
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发表于 2010-11-15 06:08:56| 字数 6| - 中国–北京–北京 鹏博士BGP | 显示全部楼层
学习了。。。
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发表于 2010-11-15 07:21:00| 字数 694| - 德国 沃达丰电信 | 显示全部楼层
xd,缓存的作用不是代替硬盘,而是掩盖延时。

跑分软件如果测得是控制器到缓存的速度,那软件的作者可以去死了,iops跑几毫秒缓存就写完了,哪个软件就测试几十兆的写入啊。

G2,G1上市的时候有那么一大堆bug了?莫非你说的是你用的sf控制器 吧。
至于工程样品,平什么给你更新?那是样品。

51的版主里,你要是说自己是第二水的,没人敢称第一了。


QUOTE:
Posted by dothan228 on 2010-11-15 05:16

谁知道呢,这个提升是有限的,缓存再大也要写入NAND,当缓存满了,NAND还是来不及写入的时候性能就会大幅度下降。一般跑分是测试主控到缓存的速度,而不是直接到nand的速度,所以性能提升也许只是假象。intel实现写入缓存估计不难,加大原来寻址用的缓存比如用个128M的,划64M当写入缓存,64MB当寻址。其实intel加入写入缓存一种可能就是25nm 主控不变,NAND的延迟提高了,速度下降了。还有一种可能就是主控性能大幅度提升过于强悍,凸显NAND速度的瓶颈,需要加入大容量缓存协调。

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发表于 2010-11-15 07:22:03| 字数 104| - 德国 沃达丰电信 | 显示全部楼层
虚标吧,估计是300G/600G的写入量。

QUOTE:
Posted by andyrave on 2010-11-14 18:51
数据做的不错   看上去很漂亮

G3的颗粒  读写寿命次数减少了    总写入量比G2反而提高了3倍   高科技?
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发表于 2010-11-15 07:27:11| 字数 196| - 克罗地亚 | 显示全部楼层
QUOTE:
Posted by bessel on 2010-11-15 07:21
xd,缓存的作用不是代替硬盘,而是掩盖延时。

跑分软件如果测得是控制器到缓存的速度,那软件的作者可以去死了,iops跑几毫秒缓存就写完了,哪个软件就测试几十兆的写入啊。

G2,G1上市的时候有那么一大堆 ...


很有想法。多一些这样的回复论坛就有气氛了。

[ Edited by  dothan228 on 2010-11-15 07:28 ]
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回复 #20 longjing2000 的帖子

最好能更新RST驱动,然后再试试。
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Posted by bessel on 2010-11-15 07:21
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G2,G1上市的时候有那么一大堆 ...

记得只有几个问题吧,不是一大堆,G2那个被收回的固件有设置硬盘密码可能导致数据全丢的bug
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QUOTE:
Posted by dothan228 on 2010-11-15 07:31
最好能更新RST驱动,然后再试试。


更新RST驱动会对结果带来多大的改变?

RST驱动能否卸载,如果不能卸载就又需要重新安装系统及应用。
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估计新工艺的MLC寿命长点,所以不限速了。
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