【转帖】低电压DDR3不一定比较省，挖掘内存的耗电量真相

猪肉炖半仙

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这篇文章我找了很久，最后是靠@xffsfy耐心提示下找到的，原来这篇文章的链接藏在另一篇文章里。多谢！

文章比较长，@413laolao的总结是：韩国的比台湾的颗粒省电。。。。

以下是由来：

楼主用的T430s，48wh瓦时的电池只能办公使用3到4个小时，说明我的T430s功耗在12到16w左右。
通过throttlest可以发现，机器在只有12w能耗时，cpu只有4w左右能耗。那剩下的能耗哪去了？

为了节能，我升了SSD（真的是为了省电和静音换的，换完发现还真挺快..)，换了FHD（FHD屏幕最大能耗比TN低1w左右），关了独显和部分USB接口。然而这样的430s还是不够给力。

然后我看到了这篇文章：
《T450s使用心得》：http://www.ibmnb.com/thread-1569351-1-1.html

我把最关键的东西写出来：
Samsung M471B5173DB0-YK0 Power Consumption: 1.45W.
Micron E-Die DDR3L: 1.35V x 243mA (per 512MB chip) x 8 = 2.62W.
Kingston KVR16LS11 Maximum power: 2.36W.

这意味着用4G+8G金士顿的T430s换成三星后办公续航时间有望突破4.5小时！（12w减至10w，续航由4小时变4.8小时)

当然这用的是最大能耗差值估算的，仔细看正文后可以发现，内存待机（Idd3N,Idd3P即standby阶段）内耗是最大值的六分之一左右，也就是说我可以由4小时办公续航提升为4.1小时。（48wh/11.7w=4.1小时）

不过T430s已经出了，我也没法实际算了。出地匆忙，也没照片留念，诶。

至于这篇《T450s使用心得》，我一直想知道数据是怎么得到的。幸好有xffsfy的帮助，我得以见到这篇对岸神文。我把它简化转载过来，希望对大家有帮助。

猪肉炖半仙

大概要从上个月先说起，站长在拿到ThinkPad X230实机后，找一天邀笔者前往试用。笔者很荣幸在第一时间就有体验X230的机会，当时站长已经大略测试完毕，也同时跟笔者讨论一些使用心得，以及测试中遇到的问题。对于X230这台机器，两人共识都是无法接受六列孤岛式键盘的改变，而且笔者觉得同样是孤岛键盘，X230的手感却比T430还要差，算是颇令人失望。

前面有点离题了，把焦点拉回正题，当时站长向笔者问了一个问题：我在测试X230的电池续航力时，搭配DDR3记忆体的电池时间，竟然比低电压的DDR3L还要长，为什么DDR3比DDR3L还要省电？

为什么DDR3比DDR3L还要省电？
为什么DDR3比DDR3L还要省电？

因为DDR3L记忆体模组是站长自掏腰包，从对岸网购到台湾，原本预期可以实际验证「DDR3L更省电」这件事，但跑出来的结果却完全相反。所以站长当时多次向笔者表达讶异与不解，并详细说明测试时的配置，感觉有点难以接受这个测试结果。笔者听完以后，告诉站长这个现象很正常，当时受测的的2组记忆体，就是DDR3比DDR3L还要省电，站长的测试不但没有错误，而且结果非常精确。听完这些解释以后，感觉站长反而更糊涂了，也许记忆体耗电并不是三言两语就能简单解释的课题。

正巧笔者原先计画在某杂志上，刊登有关记忆体耗电量的专文，主要是告诉读者如何挑选真正省电的记忆体，无奈之前缺乏写作动机，一直没有实际动笔完成。这次站长遇到的测试状况，正好给了笔者写作灵感，花了一些时间把文章完稿，这篇拙作笔者决定不放在杂志，改为「赞助」本站与网友共享。这篇文章的文字也许比较多，如果各位网友能像阅读杂志一样，慢慢地把本文看完，相信在这个主题上，会得到一些日后采购的参考性。

续航力关键：电池容量、整机耗电量

续航力与省电效果，一直以来都是笔记型电脑发展的重要课题之一。提升续航力的最直接方法，当然是加装容量更大的电池，假设出厂搭配的原厂电池只有4-cell（容量约29WH），那它的意思是在输出功耗29W的环境下，能够提供1小时使用时间。一般ThinkPad X系列在闲置与轻度文书处理时，耗电量大约是10、15W，透过换算可得知4-cell的实际续航力只有2、3小时。如果直接换成容量更高的6-cell电池（约58WH），或是9-cell电池（约87WH），续航力当然会再按比例提高。但换装大容量电池并非毫无缺点，首先是更贵的取得成本，另一个是携带重量的增加，若电池不换，要提升续航力只剩下降低耗电量这条路。

桌上型电脑根据笔者实际经验，目前主流的Intel Sandy Bridge平台，它的耗电量已经可以压得相当低，算是好几年首见的省电平台。若以单主机不含萤幕的配置来测试，可以得到闲置只有30W，满载大约是50W的耗电量，这已经是很漂亮的数字，如果跟笔电比较呢？其实笔者也很好奇这个问题，刚好手上有一些ThinkPad X系列的机器，于是挑出3台有代表性的机种，再统一搭配原厂90W变压器，用变电家电表实际测量耗电量。

第1台是X60系列旗舰机种（1706-BW5），它搭载当时最高阶的T7200处理器，特色就是很热，实测闲置耗电量约19～21W，满载耗电量可以飙到47W左右。第2台是X200s的旗舰机种（7469-RW9），它采用高价材质CFRP+GFRP的萤幕背盖，算是X300系列下放的技术，让整机重量只剩1.1KG，拜SL9300低电压CPU之赐，实测闲置耗电量只有13～14W，满载是29W左右。第3台是X220i的入门机种（4287-A13），它就没什么特点了，闲置是15W，满载约36～37W左右。

由此可见，就算桌上型电脑再怎么省电，还是远远追不上笔记型电脑。而且笔记型电脑的耗电量已经包含萤幕，如果再加上萤幕的数据，桌上型与笔记型电脑的耗电量会差更多。

▼这是一台没有独立显示卡，Intel Sandy Bridge双核心平台，记忆体4GBx2的桌上型电脑，它不论在闲置或满载的状况下，记忆体耗电量占全系统的比重只有4、5%左右，几乎是可以可以忽略的比例。


NB（Notebook，半仙注）要省电，记忆体也是关键

拜科技所赐，现在笔记型电脑都采用为省电特化的零组件，像是耗电量更低的处理器与晶片组、萤幕面板、2.5吋硬碟与SSD等等，它们的耗电量都比桌上型零件还要低很多。虽然笔记型零件大多比桌上型还省电，但其中唯独一项例外，那就是记忆体。有人可能会问，笔电使用的记忆体是体积比较小的SO-DIMM模组，它的耗电量怎么可能没比较省？事实上，不论是笔电或桌上型电脑使用的记忆体模组，它们都是共用一模一样的记忆体颗粒（IC晶片），之间差异只是DRAM模组的电路板形状，一个比较大，另一个比较小而已。

笔记型电脑在其他零组件「什么都省」，唯独记忆体「依然故我」的情况下，在整台电脑耗电量当中，记忆体占的比例就被提高了。笔者根据自身的测试经验与资料蒐集，分别从桌上型、与笔记型电脑的角度，试着分析各零组件的耗电量比例，结果就是以下几张图表。根据这些图表显示，记忆体耗电量在桌上型电脑当中，无论是系统闲置或满载状况下，占的耗电量比例只有4、5%，几乎是无关痛痒的数字。若是在笔记型电脑当中，记忆体将提高到20％上下，不但远高于储存（本例设定为SSD）的比例，甚至跟萤幕几乎相等，可以说是决定续航力的重要因素之一。

▼这是一台没有独立显示卡，Intel Sandy Bridge双核心平台，记忆体4GBx2的笔记型电脑，它在闲置状况下，记忆体耗电量占全系统比重达到22%左右，就算是系统满载也有15%。


▼接下来以闲置80%、满载20%的比例为数字做加权，可以更贴近一般使用的实际状况。记忆体耗电占整台电脑的比例，在桌上型电脑中只有4.79%，在笔记型电脑却占了20.83%。如果减少记忆体耗电量，桌上型电脑可能感觉不出节能效果，但在笔记型电脑上却是续航力关键。


如果要省电，降压、降频选谁好？

现在有一颗电子晶片摆在你眼前，而且让你自由调整它的运作时脉与电压，那晶片的耗电量会有什么变化呢？如果对电脑零组件有过一些研究，或是对超频有一些概念的玩家，大多听过一个耗电量计算公式：「实际耗电与时脉成正比，与电压平方成正比。」如果你今天想要超频，希望得到更高运算效能，那提高10%时脉，也会增加10%功耗。如果又再对晶片增加10%（1.1倍）的电压，那对耗电量的影响则是1.1×1.1=1.21，相当于提高21%的功耗，可说是非常明显。

反之亦然，如果想要减少电子晶片的耗电量，降低电压的省电效果会比降低时脉明显。如果你今天想减少耗电量至原本的80%，你可以选择降低20%的运作时脉，或是降低10%的工作电压。降低时脉对晶片而言比较简单，但是会对效能带来不良影响。不过降低电压相当于一种反向超频，只有体质比较好的晶片，降压后还能维持一定稳定性，优点是你不必牺牲任何效能，就可以得到省电回馈。

因此，在DDR3记忆体的正式规范中，提出了两个低电压技术标准，分别是工作电压1.35V的「DDR3L」，以及1.25V电压的「DDR3U」。跟标准版DDR3 1.5V的工作电压相比，DDR3L电压正好低了10%，理论上可以将耗电量降低到原本的81％。或是先提高23%时脉之后，再靠着降低10％的电压，两者一来一往就抵销了，最后还可以维持原本的耗电量，平白获得额外效能。如果依照这个理论去计算，DDR3L-1600与DDR3-1333的耗电量其实都很接近，只是前者具备高出一截的效能。

▼如果把DDR3-1600的耗电量先订为100，再依照「实际耗电与时脉成正比，与电压平方成正比」的公式去计算，可以得到这些有趣数字。根据这些理论数字，DDR3-1333、DDR3L-1600、DDR3U-1866的耗电量都差不多，如果你现在是使用DDR3-1333，当有一天换成DDR3L-1600之后，你不一定会有更省电的感觉。

理论靠计算，实际看原厂文件

前面先提到理论与计算公式，也透过这个公式得到一些数据，但是实际上并不那么简单。就工作原理来说，DRAM像是无数个极小电容，运作中要适时地给予充电，通常是几个时脉周期就得充电一次，如果没有即时充电，就会导致电容丧失电力，造成储存资料遗失。而DRAM的工作状态除了充电以外，还有资料读写、闲置、待命与休眠等等，可以说有点复杂，也跟CPU与GPU这些逻辑计算晶片并不太一样。也许前一段提到的理论公式，可以很完美适用在CPU与GPU身上，不过DRAM的工作原理不一样，工作状态也不单纯，并不能完全一概而论。

要从官方管道得知耗电量资料，其实记忆体比CPU与GPU容易许多，只是阅读数据需要一些门槛而已。如果是CPU或GPU的情况，原厂顶多只会给你TDP（热设计功耗）数字，笔者不晓得已经看过几次「TDP不等于实际耗电量」的相关争辩了。而DRAM具体来说，你只要先到制造晶片的半导体厂商网站，例如Samsung、Hynix、Micron等等，寻找记忆体颗粒的datasheet（技术文件），再从内文找到「IDD Specification」或类似的字眼，就能得知记忆体在不同状态下的官方耗电量数据。

▼到DRAM晶片制造商网站上，都可以找到DRAM颗粒的datasheet，内文会记载DRAM在不同状态下的实际耗电量，算是「官方认证」比较有可靠性的数据。

如何看懂IDD数据

当你找到原厂提供的DRAM耗电量数据，马上就会被搞昏头，因为它不直接告诉你什么才是工作满载时，什么才是闲置时的耗电量，只看到一大堆「IDD加数字」的东西。IDD是描述DRAM在不同工作状态下的缩写，基本上你可以找到IDD0、IDD1……直到IDD8的数据，通常DRAM的耗电量尖峰，会出现在IDD7或IDD5B的工作状态。

既然IDD有这么多种，哪一个才是DRAM工作满载，哪一个才是闲置的状态呢？一般而言，如果要计算DRAM工作时的满载功耗，大约是最极端的尖峰状态（IDD7或IDD5B）的50%，或是直接取IDD4R/W（IDD4读写）的数据。而DRAM闲置耗电量大概会落在IDD2N，而IDD3N则是闲置时最差状况（worst case）的数字。

▼透过DRAM原厂datasheet中的IDD数据，我们可以计算出DRAM元件的耗电量，而且在不同DRAM晶片之间，数据也能互相比较。

▼IDD是描述DRAM在不同工作状态下的缩写，通常IDD4R/W代表读写时的状态，而IDD3则是闲置状态，通常DRAM的耗电量尖峰，会出现在IDD5或IDD7这两个状态当中。

电压、时脉越低越省电

虽然前一段提到因为DRAM工作原理跟CPU、GPU都不一样，不一定完全适用「实际耗电与时脉成正比，与电压平方成正比」的公式，不过电压越小、时脉越低越省电的大方向，仍然是不变的。Samsung K4B2G0846D是目前主流的DDR3颗粒，采用35nm半导体制程，单颗容量为2Gb（256MB），16颗可以组成单条4GB的记忆体模组，ThinkPad X220出厂配的原厂记忆体就是它，算是有代表性的一个颗粒。笔者实际查询它的datasheet，并收集在不同速度、不同电压下的官方耗电数据，画成以下图表。

这些数据都来自同一颗DRAM晶片，变数只有时脉与电压两种，类似同一颗CPU跑在不同时脉与不同电压，所得到的不同耗电量。透过图表我们可以得知，不论是1.5V的DDR3，或是1.35V的DDR3L规格，只要在相同电压下，时脉越高就越耗电，越低则越省电，顶多在某些工作状态下打平，没有出现时脉较高，耗电量反而较低的相反现象。如果固定运作时脉，电压较低的DDR3L也一定比DDR3还省电，都符合先前预期，得到没有争议的结果。

前面公式计算结果显示，从理论上来说DDR3L-1600的耗电量跟DDR3-1333差不多。不过根据这些原厂提供的实际数据，DDR3L-1600的耗电量曲线其实比DDR3-1333还低一些，就是比较省电的意思，大概比较接近DDR3-1066的耗电量水准。不过这些数据只适用于Samsung K4B2G0846D这颗晶片，如果换成其他制程或其他厂商的DRAM颗粒，结果可能又会不一样，没办法就此断定「DDR3L-1600跟DDR3-1066一样省电」，还是要以实际资料为主。

▼这些耗电量数据都来自同一颗DRAM晶片，变数只有时脉或电压，类似同一颗CPU跑在不同时脉，与不同电压的结果。可以得知在其他条件都固定时，1.35V的DDR3L会比1.5V的DDR3还要省电，而且时脉越低也越省电。（点选看大图）


半导体制程，越先进越省电

如果排除掉晶片设计失误，或新制程微调尚未成熟的干扰因素，半导体制程越先进，则晶片会越省电，应该已经成为全民共识与定律了。最主要的原因就是，当一颗电晶体数量与设计架构都相同的晶片，如果半导体制程越细，所生产出的晶片面积也会越小，直接带来减少发热面积的效果，耗电量也会跟着降低了。即使DRAM的工作原理跟CPU、GPU都不太一样，不过仍然适用这个定律，多半耗电量会随着制程演进而降低。

以Samsung的DDR3记忆体当例子，它在DDR3 2Gb容量的晶片当中，总共用了4种半导体制程，分别从最早期的56nm进化到下一代的46nm，再演进到目前主流的35nm制程。从图表可以清楚看出，在这3段半导体制程更新后，晶片耗电量都明显往下降。最新28nm制程已经箭在弦上，现在已开始少量出货，除了IDD7与IDD5B状态的耗电量比35nm还要高以外，其他状态也是比35nm还省电一些（虽然幅度没有很多）。那为什么28nm晶片的耗电量，唯独在IDD7与IDD5B状态会飙高，目前还无法得知。不过之前有传出Samsung与GF（Global Foundries）合作开发28nm制程的新闻，笔者不负责任猜测，因为加入GF的半导体制程技术，让28nm的晶片特性跟上一代35nm不太一样，也是一个可能性。

▼就算是同一厂商，时脉、电压、与容量规格都相同的DRAM晶片，在不同的半导体制程下，实际耗电量也有很大差距。（点选看大图）


晶片总数，越少越省电

如果你的笔记型电脑想安装总容量4GB记忆体，大概有2种选择：装满2条2GB模组，或是只装1条4GB模组，不过后者会比前者省电很多，你相信吗？其实在上一段图表当中，细心读者可能会注意到这个现象：同样在35nm的制程下，单颗4Gb晶片的容量比2Gb还要大一倍，理论上耗电量也要多一倍才合理，那为什么实际上只多了20%至25%呢？

事实上这就是DRAM的特性之一，使用适当的半导体制程制造，而且其他条件都固定，DRAM晶片的容量越大、密度越高，它的电力效率就越好。所以我们可以反过来说，在相同总容量的前提下，安装在系统中的DRAM晶片总数越少，电力消耗就越低。虽然这个现象对有些人来说很不可思议，不过在本篇文章的主题当中，这算是重要的关键之一。

举例来说，现在要安装4GB DDR3记忆体，你可以选择32颗1Gb容量的晶片（2条2GB模组），或是16颗2Gb容量（1条4GB模组，共16颗晶片），或是8颗4Gb容量（1条4GB模组，共8颗晶片）的配置。即使它们都是Samsung在35nm半导体制程下的产品，但是就总耗电量来说，使用8颗4Gb晶片的数字最低，大概只有16颗2Gb晶片的60%至70%。如果总容量再往上提升到8GB，安装1条8GB模组，当然会比2条4GB模组还省电。

如果排除掉DRAM本身的耗电量因素，系统在安装2条记忆体后，可以启用双通道传输模式。其实在晶片组（记忆体控制器）的原厂datasheet当中，也提到系统在启用双通道模式后，会增加晶片组的负担，它的耗电量也会比单通道模式多一些。

▼在相同制程、相同时脉电压、相同总容量的前提下，安装在系统中的DRAM晶片总数越少，电力消耗就越低。（点选看大图）


气温10度至20度，最省电

虽然很少人听过或是实际体会过，但根据笔者测试CPU的个人经验，当CPU在散热不良、温度飙高的状态下，耗电量也会跟着明显上升。其实记忆体也是如此，它也有电力效率最佳的工作温度，根据Micron提供的官方资料可以得知，当记忆体在气温摄氏10度至20度的环境下工作，实际的消耗电流最低。具体而言，记忆体在4-Bank的IDD7状态下，气温10度至20度的消耗电流只有125uA左右，若是稍微提高到25度，也才微幅上升到130uA左右。

但是当气温提高到60度，稍微超过一般笔记型电脑的机内温度以后，耗电量就明显爬升到260uA，比25度时整整多出一倍，气温差35度就多一倍耗电量，当然非常惊人。若气温继续再往上增加到80度，耗电量又会比60度再暴增61%，达到420uA的失控水准。好在一般笔记型电脑不会到达这么热的温度，除非散热系统出现严重故障才可能。这种环境温度提高，造成记忆体耗电量一倍又一倍的增加方式，比不同电压、制程、时脉等其他因素的影响，都还要明显许多，也是笔者觉得最重要的关键。

但是笔记型电脑机内的散热，主要还是取决于厂商的设计，使用者在这部份其实无能为力。如果厂商在设计时有注意到这些散热的眉眉角角，相信对续航力也会有一定帮助。其实我们细心观察可以发现，在大多数笔记型电脑设计当中，记忆体模组区块的位置，多半都远离CPU核心热点，而且周边都没有明显发热源，基本上温度不会飙到太高，不需要太过于烦恼。

▼根据Micron提供的图表可以得知，当记忆体在气温摄氏10度至20度的环境下工作，实际的消耗电流最低。之后无论温度提高或是降低，耗电量都会跟着攀升，特别是在高温状态下特别明显。

先查资料再去买，最省电

这次站长跟笔者抱怨的重点就是，Micron DDR3L-1600的续航力竟然比Hynix DDR3-1600还要差，不但完全不能理解，甚至有被诈骗的感觉。笔者就此对症下药，找出目前主流DDR3晶片的原厂耗电量数据，看看到底是晶片不好还是人品不好。

首先我们来看看最关键的两颗晶片，Micron DDR3L-1600模组是采用D9PFJ颗粒，预设工作电压1.35V，而Hynix DDR3-1600是H5TQ2G83BFR颗粒，预设电压是标准的1.5V，它也是出名的超频颗粒。再请读者注意下面的图表，不论在各个项目中，Micron低电压颗粒的橘色线，总是比深绿色的Hynix还要耗电。从原厂文件中的数据可以得知，即使D9PFJ颗粒的工作电压是1.35V，但是它的实际耗电量却不低，甚至比它厂1.5V的标准颗粒还要耗电。刚好站长的实测步骤很严谨精确，让它完全反应在测试结果上。

从图表可以再看出，目前最省电的颗粒是Samsung K4B2G0846D，它正好是ThinkPad X220出厂原配记忆体的「御用」颗粒。我们总是以为原厂配的零件是鸡肋，没想到X220一出厂就配了一支最省电的记忆体，看来不能随便亏待它了。第二省电的应该是Hynix H5TQ2G83CFR颗粒，它也是韩系厂商的产品，比站长测过的H5TQ2G83BFR新了一个世代。而日系Elpida颗粒正好在众厂商的平均值当中，不算省电也不算耗电。

既然不同厂商之间的晶片设计，以及不同制程做出来的产品，影响耗电量的幅度竟然比表面规格还大，那我们还能参考这些资讯挑选记忆体产品吗？笔者认为DDR3与DDR3L的标准还是可以参考，但是对极度计较记忆体耗电量的朋友来说，建议你还是先查完各家记忆体原厂datasheet，找出实际耗电量资料后，再决定下手目标，并同时搭配其他的节电要素使用，才能保证最省电。

▼在目前市售常见的DDR3记忆体当中，浅蓝色的Samsung K4B2G0846D是最省电颗粒，浅绿色的Hynix H5TQ2G83CFR次之，紫色的日系Elpida颗粒正好居于中间平均值。表现最差的则是红色的Micron D9PQZ与橘色D9PFJ，尤其是电压1.35V的D9PFJ，实际耗电量竟然比它厂1.5V的标准颗粒还高。（点选看大图）

记忆体要省电，各处都是关键

如果从短期来看，DDR3记忆体不论是2Gb、4Gb颗粒，耗电量仍然是韩厂Samsung、Hynix较占优势。虽然上面没有列出，但目前表现最差的是台系Nanya颗粒，美系的Micron则次之。Nanya DDR3 4Gb颗粒在IDD7尖峰状态下，消耗电流达到330mA，就算是IDD4读写也有280mA，都是相当不理想的数字，不推荐用在笔记型电脑上。

从以上分析可以得知，决定记忆体实际耗电量的因素并不少，而且彼此之间又会交互影响，没办法单单用一个条件就去推估、概括。要是你真的纠结于此，想找目前最省电的记忆体，先查看DRAM原厂的datasheet（技术文件），锁定特定颗粒型号后再设法去寻找，似乎是没有捷径的不二法门。如果不想要这么麻烦，尽可能买单条大容量的模组，或是直接买当季新品，都可以避免买到制程较旧、较耗电的颗粒。如果目标是较旧的中古品，除非已经查到资料，确定这是你要找的颗粒，而且是原厂纯正模组，这时候才值得评估是否购买，否则一般来说并不推荐购买二手品。

猪肉炖半仙

那么问题来了，形如Intel 535这样笔记本适用的SSD功耗又会是怎样的呢...

Mashiro-

那問題來了 x230和t430s鍵盤是通用的何來的鍵盤差異？
430s居然能用三小時，這得多低的功耗。。。。都接近開著電腦啥都不幹的功耗了，並無實際意義。。。

猪肉炖半仙

QUOTE:

Mashiro- 发表于 2016-3-10 07:50
那問題來了 x230和t430s鍵盤是通用的何來的鍵盤差異？
430s居然能用三小時，這得多低的功耗。。。。都接近 ...

用于PDFPPT和WORD，靠禁睿频和低频率实现的。浏览器不多开的话并不卡...对了，还有我的电芯是三洋的，几乎无损耗，索尼的太烂了。

413laolao

总结一下，韩国的比台湾的颗粒省电。。。。

qwer20060606

好文，就是有点长

Mashiro-

QUOTE:

猪肉炖半仙 发表于 2016-3-10 08:07
用于PDFPPT和WORD，靠禁睿频和低频率实现的。浏览器不多开的话并不卡...对了，还有我的电芯是三洋的，几 ...

這樣限制性能得來的性能屬於作弊了，。，

小道入道

神贴

井底之瓜瓜

支持技术贴

QUOTE:

前最省电的颗粒是Samsung K4B2G0846D，它正好是ThinkPad X220出厂原配记忆体的「御用」颗粒

这个颗粒还是最好的超频颗粒之一我有两对

wuyuwuti

居然还有这样的事情，thinkpad原配的原来还是最好的，看来品牌的价值隐藏的比较深，一般人看不到

月光宝石

不错的研究贴，原来还没注意到这些

IBM-ThinkPad

笔记本最吃电的是显示器亮度，没有之一

penglei - T50-10

美国颗粒呢？？？？

xjxiening

太专业了，学习了

alviso01

屏幕亮度调低点，比什么都强！呵呵呵呵