CPU也有寿命，散热不好速度会变慢的。

NoDouble

没见过正常用坏的U，大部分都是折腾坏的。

elo

记得上大学买第一台电脑，觉得PIII 733还超快呢

hmilei

温度过高的话，cpu是会自动降频的。

qihm

純屬瞎扯，半導體器件是半永久的，基本不用考慮老化，
老化的是你主板的其它元件，電容容量下降，電感感值下降，其它元件性能劣化，
引起主板工作狀態不佳，有可能會導致「變慢」。

e207

我打算坚定的用XP系统

moonstar

QUOTE:

Posted by qihm on 2011-1-25 09:41
純屬瞎扯，半導體器件是半永久的，基本不用考慮老化，
老化的是你主板的其它元件，電容容量下降，電感感值下降，其它元件性能劣化，
引起主板工作狀態不佳，有可能會導致「變慢」。

感觉这种可能性更大.

yg2004

QUOTE:

Posted by Choi on 2011-1-25 08:10
我怎么觉得你这个CPU就是这种速度？

还有你举例那个T2080也是。

你还以为这种CPU能有多快啊？

T2080是65nm 双核1.7G，我以为会比单核PM 1.6G快。难道我错了吗？

事实是，朋友那台T2080在全频率1.73Ghz下连普通的上网都有些卡, 看网络电视CPU占用挺高的。还真不如我自个儿的T41。

T2080正常情况下superpi 应该是46秒而不是1分33秒。 再重申一次，最高频率1.73G测的，绝对没降频。降频的话连PPS都卡。

neuyubo

半导体器件是存在电子漂移现象的，是有寿命的。
半导体的热效应与金属导体不太一样，正常时温度越高，导电能力越强。
楼主说的其他理论不清楚，没发言权。

skygrasper

LZ丢人

imth

你电子迁移的感念没弄懂~

要是真的有一个晶体管被电子冲坏的话，整个cpu都不稳定或直接挂了，根本不是要变慢

neuyubo

QUOTE:

Posted by imth on 2011-1-25 13:31
你电子迁移的感念没弄懂~

要是真的有一个晶体管被电子冲坏的话，整个cpu都不稳定或直接挂了，根本不是要变慢

是应该了解一下电子迁移的概念。
大学时学习过，现在忘的差不多了。刚刚百度了一下。
"电子迁移"属于电子科学的领域，在1960年代初期才被广泛了解，是指电子的流动所导致的金属原子的迁移现象。在电流强度很高的导体上，最典型的就是集成电路内部的电路，电子的流动带给上面的金属原子一个动量(momentum)，使得金属原子脱离金属表面四处流动，结果就导致金属导线表面上形成坑洞(void)或土丘(hilllock)，造成永久的损害，这是一个缓慢的过程，一旦发生，情况会越来越严重，到最后就会造成整个电路的短路(short)，整个集成电路就报销了。

注意：”电子迁移“指的是金属原子的迁移，不是电子的迁移。

ndf

来看一群自以为很懂的人！

wraith

这年头高中生上网喜欢发言的越来越多了

黑蛋黑蛋

我不认同楼主的观点，不过这真的需要专家来解释

12345abcde

不管是什么CPU，内部晶体管一般不会坏，只要有一个坏了，保证会出问题。运算器的部分要是有问题直接就不工做，缓存有问题的话，有可能频繁死机，蓝屏等。看这个晶体管在什么地方损坏。

tigeryeh - 老虎爷

LZ瞎说，应该是温度太高CPU自动降频运行

dothan228

QUOTE:

Posted by yg2004 on 2011-1-25 11:33


T2080是65nm 双核1.7G，我以为会比单核PM 1.6G快。难道我错了吗？

事实是，朋友那台T2080在全频率1.73Ghz下连普通的上网都有些卡, 看网络电视CPU占用挺高的。还真不如我自个儿的T41。

T2080正常情 ...

为什么T2080就一定要比PM 1.6G快呢？你觉得1M L2缓存两个核一起用的效率高，Yonah支持所谓的智能L2缓存（L2双核共享）哦～还是2M L2只给1个核心用的效率高呢？双核的对于低速FSB的总线会导致延迟大幅度增大，核心越多只会增加FSB负担,缓存压力也越大，core2的精华之一在于使用4M L2缓存来弥补孱弱的FSB性能，减少延迟的影响。penyrn更是达到了12M L2，就是因为多核心导致这种共享型FSB不堪重负（而且每次只能进行一次单向操作，比如一次读，或者一次写），核心越多影响越大，通过大幅度增加缓存，即使FSB不空闲也不要紧，由于大容量的共享的智能L2，其他核心还是可以继续处理缓存的内容。yonah低缓存的双核效率奇差无比。

[ Edited by  dothan228 on 2011-1-26 08:24 ]

ploverrodger

学习了，呵呵

wetnight

那是CPU温度高了自动降频保护而已

myccer

不明真相的路过

413laolao

这个问题真的很复杂哎

lmx2004

怎么可能。。。。

天外飞珠

lz真可爱~

deadseazhu

我名词解释一下，提到了两个概念，一个是电子的迁移率，一个是原子电迁移。

电子迁移率是Si材料的本身性质，指电子在Si中跑的有多快，在CPU的一个时钟周期内（现在芯片一般~2GHz，0.5nS），电子必须要跑完一个场效应管沟道。 想要做更高主频的芯片（比如THz），电子就得跑的更快，Si就不行了，得用III-V族半导体，或者石墨烯了。现在的商用芯片，都是用Si的。做通信的需要高频，会用特殊处理的Si，应变Si之类的，让电子跑的稍微快一点点。

原子电迁移是指电子跑的过程中，撞击原子，造成的缺陷、位移。就像河水流动时对河岸的冲刷。

正常设计工做的芯片，不会有原子电迁移的，设计的时候就要考虑进去，计算多少nm的导线，最大承受多大电流，选择必要的稳定材料。所以不用考虑这个产生的老化的。

so芯片的寿命是很长的，国外有的医聊设备和天上的卫星，现在还是用几十年前的芯片。主要别发热击穿就好。

[ Edited by  deadseazhu on 2011-1-26 16:26 ]

306199

搞清楚什麽叫電子遷移，明白什麽叫PCB板的“枝蔓生長”就知道你講的東西是怎麼回事了？

千萬不要誤導大家啊

daat

LZ说的是对的，我也发现了，CPU的确会变慢很多，这里有很多网友不专业

oooovoooo

http://benyouhui.it168.com/thread-1238413-1-1.html
xp和win7下载地址

wgever

扯淡，，，，，

CPU 只有挂跟不挂的区别，，

只有0跟1，，yes or no

bitwave1982

楼主是“砖家”