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[其它] 【新闻】ARM创建印度过程工程研发中心

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发表于 2013-10-22 08:34:18| 字数 619| - 中国–湖北–武汉 电信 | 显示全部楼层 |阅读模式
10月10日消息,据外媒electronicsweekly报道,英国ARM设计公司在北印度诺伊达创建印度过程工程研发中心,用以散装CMOS和FinFET过程技术专用IP研发。

  北印度诺伊达ZF表示,将尽力支持ARM的物理IP部门研发工作。

  新研发中心对于ARM物理IP研发团队——Bangalore研发中心的研发工作起到一个补充作用。

  ARM公司已经在全球60个国家征集到2700名研发人员,加入到其全球15个研发中心的工作中。(元器件交易网龙燕 译)


  外媒原文:

  ARM opens Indian process engineering centre

  ARM the has opened a design centre in Noida, North India to develop specialised IP for bulk CMOS and FinFET process technologies.

  Noida will support ARM’s Physical IP Division.

  The new facility will complement the capabilities of ARM’s existing team at the Bangalore Design Center, which also focuses on Physical IP.

  ARM employs over 2,700 staff drawn from over 60 nationalities and has offices in 15 countries worldwide.
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发表于 2013-10-22 13:46:18| 字数 5| - 新加坡 | 显示全部楼层
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